華太電子科創(chuàng)板IPO：去年?duì)I收7億元擬融資28億元，董事長(zhǎng)張耀輝曾在中科院工作15年

2026/5/18 17:02:13 挖貝網(wǎng) 周路遙

日前，上交所受理了華太電子的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。該公司業(yè)務(wù)主要分為射頻業(yè)務(wù)和功率業(yè)務(wù)兩大類，同時(shí)布局半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，向上進(jìn)行高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，向下自建封測(cè)廠聚焦大功率射頻功放芯片和功率模塊的封裝測(cè)試。

依據(jù)公司招股書(shū)，華太電子在大功率射頻芯片領(lǐng)域有著深厚的積累。公司于2024年率先研發(fā)出3000瓦超大功率射頻功放芯片，并成功應(yīng)用于客戶C等半導(dǎo)體裝備公司的射頻電源。目前，公司是國(guó)內(nèi)唯一能夠量產(chǎn)3000瓦以上射頻電源RFLDMOS產(chǎn)品的公司，技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的超越，突破了國(guó)外的技術(shù)壟斷。

目前，華太電子正在進(jìn)一步加大在大功率射頻芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。公司強(qiáng)調(diào)，高端半導(dǎo)體裝備迫切需要單管4000瓦或更大功率的射頻功放芯片，公司作為客戶C的戰(zhàn)略合作伙伴，也是其半導(dǎo)體裝備射頻功放芯片的核心國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商，正為其研發(fā)用于半導(dǎo)體裝備中射頻電源的碳化硅超大功率射頻功放芯片，為我國(guó)研制超大功率射頻電源提供關(guān)鍵支撐。

業(yè)績(jī)方面，2023年至2025年，華太電子營(yíng)收分別為11.26億元、7.07億元、7.26億元，歸母凈利潤(rùn)分別為-1.84億元、-4.64億元、-1.28億元。

此次上市，公司擬融資27.81億元，主要用于超大功率LDMOS功放器件、射頻大功率氮化鎵功放器件、大功率單片射頻LDMOSMMIC、高集成射頻模組研發(fā)及應(yīng)用項(xiàng)目、全系列射頻大功率封測(cè)設(shè)計(jì)和工程平臺(tái)研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高性能功率芯片、配套芯片及應(yīng)用方案的研發(fā)及應(yīng)用項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

實(shí)控人、董事長(zhǎng)張耀輝：畢業(yè)于中科院，曾在中科院工作15年

值得注意的是，公司實(shí)控人、董事長(zhǎng)張耀輝（IPO前，直接持股比例19.2071%，并控制控制52.4398%股份對(duì)應(yīng)的表決權(quán)）有著深厚的中科院背景。

首先，張耀輝畢業(yè)于中科院。招股書(shū)顯示，張耀輝于1967年出生，無(wú)境外永久居留權(quán)，畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，微電子學(xué)專業(yè)，博士研究生學(xué)歷。

其次，張耀輝在中科院工作了15年，在2006年4月至2021年4月，張耀輝就職于中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，歷任系統(tǒng)集成部主任、研究員；2010年8月至2014年4月，張耀輝就職于記憶科技（深圳）有限公司，任蘇州研究院院長(zhǎng)；2010年3月至2022年8月，張耀輝就職于華太有限，歷任執(zhí)行董事、董事長(zhǎng)；2022年8月至今，就職于華太電子，任董事長(zhǎng)。

華太電子 IPO 科創(chuàng)板

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